[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法及薄膜太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201910049422.0 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN111463300A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 王磊;杨立红;叶亚宽;辛科 申请(专利权)人: 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 孟德栋
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及一种薄膜太阳能电池的制备方法以及通过该制备方法制得的薄膜太阳能电池。制备方法包括以下步骤:在基板上依次制备背电极、光吸收层;采用化学水浴沉积法在所述光吸收层的表面制备第一缓冲层;在所述第一缓冲层的表面制备第二缓冲层;所述第一缓冲层为ZnOS膜层,所述第二缓冲层包括ZnMgO膜层。采用ZnOS膜层代替现有技术中的CdS膜层缓冲层,可以避免使用重金属镉,免去工业上复杂的重金属处理工艺,通过ZnMgO膜层代替现有技术中的IZO膜层,以达到ZnMgO膜层与ZnOS膜层的能带匹配,提高电池IV曲线填充因子,进一步提高薄膜太阳能电池的效率。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
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