[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法及薄膜太阳能电池在审
申请号: | 201910049422.0 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN111463300A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 王磊;杨立红;叶亚宽;辛科 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德栋 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及一种薄膜太阳能电池的制备方法以及通过该制备方法制得的薄膜太阳能电池。制备方法包括以下步骤:在基板上依次制备背电极、光吸收层;采用化学水浴沉积法在所述光吸收层的表面制备第一缓冲层;在所述第一缓冲层的表面制备第二缓冲层;所述第一缓冲层为ZnOS膜层,所述第二缓冲层包括ZnMgO膜层。采用ZnOS膜层代替现有技术中的CdS膜层缓冲层,可以避免使用重金属镉,免去工业上复杂的重金属处理工艺,通过ZnMgO膜层代替现有技术中的IZO膜层,以达到ZnMgO膜层与ZnOS膜层的能带匹配,提高电池IV曲线填充因子,进一步提高薄膜太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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