[发明专利]单晶硅的制备方法有效
| 申请号： | 201910048771.0 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110055582B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 松村尚;坪田宽之;永井勇太;安部吉亮 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;林毅斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在通过切克劳斯基法提拉的单晶硅中，在抑制成本增加或制造效率降低的同时可以大幅降低晶体中的碳浓度的单晶硅的制备方法。所述制备方法具备以下步骤：在坩埚3内熔融硅原料M的初期阶段，将加热器3的输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率的15～50%、并且保持3～20小时的步骤；将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率、形成硅熔液的步骤；以及从形成有硅熔液的上述坩埚中提拉单晶硅的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.单晶硅的制备方法，其是通过切克劳斯基法培育的单晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在坩埚内装填硅原料的步骤；在熔融坩埚内的硅原料的初期阶段，将加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率的15%以上且50%以下、并且保持3小时以上且20小时以下的步骤；将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率，使硅原料熔融、形成硅熔液的步骤；以及从形成有硅熔液的上述坩埚中提拉单晶硅的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环球晶圆日本股份有限公司，未经环球晶圆日本股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910048771.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
