[发明专利]单晶硅的制备方法

权利要求书

1.单晶硅的制备方法，其是通过切克劳斯基法培育的单晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在坩埚内装填硅原料的步骤；

在熔融坩埚内的硅原料的初期阶段，将加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率的15%以上且50%以下、在硅原料没有熔融的情况下保持3小时以上且20小时以下同时释放由炉内的碳制部件产生的CO气体、进行排气的步骤；

将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率，使硅原料熔融、形成硅熔液的步骤；以及

从形成有硅熔液的上述坩埚中提拉单晶硅的步骤。

2.权利要求1所述的单晶硅的制备方法，其特征在于：

在上述熔融坩埚内的硅原料的初期阶段，将加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率的15%以上且50%以下、在硅原料没有熔融的情况下保持3小时以上且20小时以下同时释放由炉内的碳制部件产生的CO气体、进行排气的步骤中，实行以下步骤：

检测炉内的CO气体量，CO气体浓度由最大值转向减少，由上述最大时的浓度减少30%以上之后，

将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率、形成硅熔液。

3.权利要求1或2所述的单晶硅的制备方法，其特征在于：

在上述坩埚内熔融硅原料的初期阶段，将加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率的15%以上且50%以下、在硅原料没有熔融的情况下保持3小时以上且20小时同时释放由炉内的碳制部件产生的CO气体、进行排气的步骤中，

将炉内的惰性气体的流量设为200L/分钟以上且400L/分钟以下。

4.权利要求1或2所述的单晶硅的制备方法，其特征在于：

在上述坩埚内装填硅原料的步骤中，

装填至上述坩埚内的硅原料的重量，相对于追加投入硅原料后的最终重量，为30%以下。

5.权利要求3所述的单晶硅的制备方法，其特征在于：

在上述坩埚内装填硅原料的步骤中，

装填至上述坩埚内的硅原料的重量，相对于追加投入硅原料后的最终重量，为30%以下。

6.权利要求4所述的单晶硅的制备方法，其特征在于：

在将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率的15%以上且50%以下、在硅原料没有熔融的情况下保持3小时以上且20小时以下同时释放由炉内的碳制部件产生的CO气体、进行排气的步骤之后，

实行将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率、并在上述坩埚内追加投入上述硅原料的步骤。

7.权利要求5所述的单晶硅的制备方法，其特征在于：

在将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率的15%以上且50%以下、在硅原料没有熔融的情况下保持3小时以上且20小时以下同时释放由炉内的碳制部件产生的CO气体、进行排气的步骤之后，

实行将上述加热器输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功率、并在上述坩埚内追加投入上述硅原料的步骤。