[发明专利]一种以配位聚合物为前驱体制备的氮掺杂多孔碳材料及应用在审
申请号: | 201910047776.1 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN109824028A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 程秋遐;黄琦;柯春先;覃路珠;林晓明;蔡跃鹏 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | C01B32/05 | 分类号: | C01B32/05;H01M4/62;H01M10/052 |
代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 吴静芝 |
地址: | 510006 广东省广州市番禺*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种以Cd‑CP为前驱体制备的氮掺杂多孔碳材料及其在锂‑硒电池正极的应用。本发明所述的以Cd‑CP为前驱体制备的氮掺杂多孔碳材料,其制备方法包括以下步骤:配体的合成,配位聚合物的合成,氮掺杂多孔碳材料的合成。本发明采用含氮杂环羧酸类配体来合成Cd‑CP配位聚合物,可以保证了退火处理后制备得到的多孔碳均匀地掺杂了氮元素,能增加材料晶格的缺陷,增加电极的储锂位点从而有效地提高锂‑硒电池的比容量。本发明还提供一种锂‑硒电池正极材料及由该正极材料所组成的锂‑硒电池,本发明所述的C‑N/Se材料作为正极材料应用于锂‑硒电池中,能显著提高电池的寿命与循环稳定性。 | ||
搜索关键词: | 多孔碳材料 氮掺杂 配位聚合物 前驱体制 电池 合成 正极材料 配体 制备 应用 电池正极材料 循环稳定性 材料晶格 电池正极 含氮杂环 退火处理 比容量 氮元素 多孔碳 有效地 羧酸类 电极 位点 掺杂 保证 | ||
【主权项】:
1.一种以配位聚合物为前驱体制备的氮掺杂多孔碳材料及应用,其特征在于:其制备方法包括以下步骤:1)配体的合成:合成5‑(3‑(吡啶‑3‑基)苯甲酰胺基)间苯二甲酸(3‑H2PBI)配体;2)配位聚合物的合成:取3‑H2PBI与Cd(NO3)2·4H2O于溶剂中进行加热反应,得Cd‑CP配位聚合物;3)氮掺杂多孔碳材料的合成:在惰性气体氛围下,将步骤2)制得的Cd‑CP配位聚合物通过直接热解和酸蚀得氮掺杂多孔碳材料。
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