[发明专利]一种环状补偿膜应力补偿晶体谐振器在审

专利信息
申请号: 201910043465.8 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN109818592A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 苗苗;李智奇;李皖;张艺;周渭;张雪萍;冯娜娜 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02
代理公司: 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 代理人: 韩景云
地址: 710071 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种晶体谐振器,特别是一种环状补偿膜应力补偿晶体谐振器,其特征是:至少包括:晶体、晶体中心电极,沿晶体中心电极两边有延伸层,两边延伸层为对称结构,两边延伸层至晶体边沿,两边延伸层至晶体边沿形成两个扇形面,两个扇形面的中心线与两边延伸层中心线重合,在沿晶体中心电极至两边延伸层的上下面有对称的四块补偿膜,四块补偿膜通过真空镀膜附着于晶体片边缘,并与晶体中心电极形成第一间隙,上两块补偿膜和下两块补偿膜上下对称;上下各两块补偿膜左右对称;晶体工作时,用晶体的力频特性补偿晶体的温频特性进行稳频。它提供一种结构简单,体积小,功耗低、成本低和稳定度高的环状补偿膜应力补偿晶体谐振器。
搜索关键词: 延伸层 块补偿 两边 晶体谐振器 中心电极 应力补偿 补偿膜 晶体的 晶体片边缘 中心线重合 对称结构 上下对称 特性补偿 真空镀膜 左右对称 扇形面 体积小 稳定度 附着 功耗 稳频 对称
【主权项】:
1.一种环状补偿膜应力补偿晶体谐振器,其特征是:至少包括:晶体(1)、晶体中心电极(2),沿晶体中心电极(2)两边有延伸层(3),两边延伸层(3)为对称结构,两边延伸层(3)至晶体(1)边沿,两边延伸层(3)至晶体(1)边沿形成两个扇形面(4),两个扇形面的中心线(5)与两边延伸层(3)中心线重合,在沿晶体中心电极(2)至两边延伸层(3)的上下面有对称的四块补偿膜(8),四块补偿膜(8)通过真空镀膜附着于晶体片边缘,并与晶体中心电极(2)形成第一间隙(6),上两块补偿膜(8)和下两块补偿膜(8)上下对称;上下各两块补偿膜(8)左右对称;晶体(1)工作时,用晶体(1)的力频特性补偿晶体(1)的温频特性进行稳频。
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