[发明专利]具有自行温度补偿功能的核磁共振磁体在审

专利信息
申请号: 201611183744.7 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106772164A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 李晓南;刘国强;李士强;夏正武;张超;李艳红 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: G01R33/3873 分类号: G01R33/3873;H01F7/02
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种具有自行温度补偿功能的核磁共振磁体,包括主磁场磁块阵列和补偿磁场磁块阵列,所述的主磁场磁块阵列由上主磁块(1)、右主磁块(3)、下主磁块(5)和左主磁块(7)构成,产生主磁场。所述的补偿磁场磁块阵列由右上补偿磁块(2)、右下补偿磁块(4)、左下补偿磁块(6)和左上补偿磁块(8)构成,产生补偿磁场。主磁场磁块阵列和补偿磁场磁块阵列交叉嵌套地构成一个环形结构,主磁场磁块阵列所产生磁场的磁通密度大于补偿磁场磁块阵列的磁场磁通密度。补偿磁场的方向和主磁场方向相反。
搜索关键词: 具有 自行 温度 补偿 功能 核磁共振 磁体
【主权项】:
一种具有自行温度补偿功能的核磁共振磁体,其特征在于,所述的磁体包括主磁场磁块阵列和补偿磁场磁块阵列,所述的磁场磁块阵列由上主磁块(1)、右主磁块(3)、下主磁块(5)和左主磁块(7)构成,产生主磁场;所述的补偿磁场磁块阵列由右上补偿磁块(2)、右下补偿磁块(4)、左下补偿磁块(6)和左上补偿磁块(8)构成,产生补偿磁场;主磁场磁块阵列和补偿磁场磁块阵列交叉嵌套地构成一个环形结构,主磁场磁块阵列所产生磁场的磁通密度大于补偿磁场磁块阵列的磁场磁通密度,二者的磁通密度矢量在环形内部区域方向相反。
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