[发明专利]加工装置在审
申请号: | 201910042945.2 | 申请日: | 2019-01-17 |
公开(公告)号: | CN110071056A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 竹之内研二 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B23Q11/10;C02F1/32;C02F1/72 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 褚瑶杨;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供加工装置,能够降低将不满足排水基准的加工废液排水的可能。该加工装置包含:保持单元,其对被加工物进行保持;加工单元,其对该保持单元所保持的被加工物进行加工;加工液提供机构,其在利用该加工单元对该保持单元所保持的被加工物进行加工时至少对被加工物提供包含氧化剂的加工液;加工废液回收部,其对包含从该加工液提供机构提供至被加工物的该加工液的加工废液进行回收;排出路,其将该加工废液从该加工废液回收部排出至该加工装置外;以及废液处理机构,其配设在该排出路中,在该加工废液在该排出路中流动的期间将该加工废液所含的该加工液分解。 | ||
搜索关键词: | 被加工物 加工液 加工 废液 加工装置 排出路 废液回收 加工单元 氧化剂 废液处理 排水基准 排出 排水 分解 回收 流动 | ||
【主权项】:
1.一种加工装置,其特征在于,其具有:保持单元,其对被加工物进行保持;加工单元,其对该保持单元所保持的被加工物进行加工;加工液提供单元,其在利用该加工单元对该保持单元所保持的被加工物进行加工时至少对被加工物提供包含氧化剂的加工液;加工废液回收部,其对包含从该加工液提供单元提供至被加工物的该加工液的加工废液进行回收;排出路,其将该加工废液从该加工废液回收部排出至该加工装置外;以及废液处理机构,其配设在该排出路中,在该加工废液在该排出路中流通的期间将该加工废液所含的该加工液分解。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910042945.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置及基板处理方法
- 下一篇:加热的陶瓷面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造