[发明专利]一种低介高Q锂镁磷系介质材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910042909.6 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN109851350A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 张平;杨苗苗 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/447 分类号: C04B35/447;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 琪琛
地址: 300350*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于陶瓷材料技术领域,公开了一种低介高Q锂镁磷系介质材料及其制备方法,其化学式为LiMg(P1‑xNbx)O4(0.02≤x≤0.08);是将Li2CO3、MgO、NH4H2PO4、Nb2O5按比例配料;一次球磨后烘干、过筛,在一定温度下煅烧得到预烧粉末;预烧粉末二次球磨后烘干、过筛,进行造粒,过筛后压制成坯体;坯体在一定温度下烧结,保温后降至室温得到。本发明采用传统固相法,用Nb5+对LiMgPO4介质材料中的P5+离子进行置换,显著地提高了Q×f值。此外,本发明的锂镁磷系介质材料无毒,无污染,符合环保要求;制备工艺简单,成本低,适用于规模化生产,用以制造谐振器,滤波器等微波元器件。
搜索关键词: 介质材料 过筛 磷系 锂镁 烘干 低介 预烧 制备 滤波器 传统固相法 规模化生产 微波元器件 比例配料 二次球磨 环保要求 陶瓷材料 制备工艺 烧结 成坯体 谐振器 次球 坯体 造粒 煅烧 保温 离子 无毒 压制 置换 制造
【主权项】:
1.一种低介高Q锂镁磷系介质材料,其特征在于,其化学式为LiMg(P1‑xNbx)O4,0.02≤x≤0.08。
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