[发明专利]一种氮化物发光二极管在审
| 申请号： | 201910033852.3 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109768131A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层和p型氮化物层，其中：所述n型氮化物层与有源层之间还设置有含硅原子和碳原子的掺杂调变层，所述掺杂调变层至少包括依次位于n型氮化物层上的第一调变层、第二调变层、以及第三调变层。本发明的优点在于：本发明在氮化物发光二极管的n型氮化物层与有源层之间设置有含硅原子和碳原子的掺杂调变层，经由调整硅原子和碳原子在掺杂调变层中的浓度分布，可降低n型氮化物层向有源层提供电子的数量和速度，缓解氮化物发光二极管工作时，有源层中电子和空穴分布不均匀与电子容易溢流出有源层的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 调变层 源层 氮化物发光二极管 硅原子 碳原子 掺杂 衬底 非掺杂氮化物层 空穴 浓度分布 不均匀 缓冲层 流出 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层和p型氮化物层，其特征在于：所述n型氮化物层与有源层之间还设置有含硅原子和碳原子的掺杂调变层，所述掺杂调变层至少包括依次位于n型氮化物层上的第一调变层、第二调变层、以及第三调变层；所述n型氮化物层中的硅原子浓度大于所述第二调变层中的硅原子浓度；所述第二调变层中的硅原子浓度大于所述第三调变层中的硅原子浓度的三倍；所述第三调变层中的硅原子浓度大于所述第一调变层中的硅原子浓度；所述第三调变层中的碳原子浓度大于所述第二调变层中的碳原子浓度；所述第二调变层中的碳原子浓度大于所述第一调变层中的碳原子浓度的三倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910033852.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
