[发明专利]GaN外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910031467.5 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111435694A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;胡巍;马紫光;贾海强;王文新;江洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN外延片及其制备方法，所述GaN外延片从下至上依次包括：异质衬底；第一GaN层，所述第一GaN层的上表面具有多个位错坑；第一非晶态氮化硅颗粒，所述第一非晶态氮化硅颗粒中的至少一部分位于所述多个位错坑中；以及第二GaN层。GaN外延片的制备方法依次包括下列步骤：1)在异质衬底上形成第一GaN层；2)将第一GaN层的上表面进行湿法腐蚀以得到多个位错坑；3)在所述第一GaN层的上表面上沉积第一非晶态氮化硅颗粒；4)在所述第一GaN层的上表面和所述第一非晶态氮化硅颗粒上形成第二GaN层。本发明的制备工艺简单，成本低廉，且能极大地降低GaN外延片的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | gan 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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