[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201910027341.0 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109742200A | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 王慧娟;吕振华;王飞;徐婉娴;王美丽;梁轩;尤杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L27/15 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置,本发明采用的显示面板的制备方法通过将第一SiO2层和第二SiO2层之间的直接键合,然后剥离晶片衬底和缓冲层,这样在转移时不需要过渡基板,因此可以降低转移过程的复杂性和成本;并对外延结构进行刻蚀形成多个独立的无机发光二极管,这样不需要现有技术中进行对位的工艺,降低了现有技术中Micro LED向目标基板转移的对位精度的问题。 | ||
搜索关键词: | 显示面板 制备 显示装置 对位 无机发光二极管 过渡基板 目标基板 直接键合 缓冲层 衬底 晶片 刻蚀 剥离 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次形成叠层设置的TFT背板、第一电极和第一SiO2层;在晶片衬底上依次形成叠层设置的缓冲层、外延结构和第二SiO2层;采用硅片键合技术将所述第一SiO2层和所述第二SiO2层进行键合;剥离所述晶片衬底和所述缓冲层;对所述外延结构进行刻蚀形成多个独立的无机发光二极管;连接所述无机发光二极管的底层和所述第一电极;在所述无机发光二极管上形成与所述无机发光二极管的顶层电连接的第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910027341.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。