[发明专利]基于单片异质集成的Cascode结构GaN高电子迁移率晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201910024910.6 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN109786376B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张春福;张苇杭;张家祺;陈大正;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于单片异质集成的Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管不能单片集成的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si有源层(4)，该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(4)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)的上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明增强了器件的可靠性，缩小了微系统的体积尺寸，提高了芯片集成度，可用于电源转换器、反相器进行电源控制与转换的场景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单片 集成 cascode 结构 gan 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.基于单片异质集成的Cascode结构GaN高电子迁移率晶体管，由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成，包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si有源层(4)，其特征在于：AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(4)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)的上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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