[发明专利]一种基于BCD工艺的新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件在审
| 申请号： | 201910024861.6 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN109786375A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘志伟;钱江 | 申请（专利权）人： | 杭州捷茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310000 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于BCD工艺的新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件，包括至少一个单体LVTSCR器件，所述单体LVTSCR器件包括P阱、N阱，所述N阱和P阱上均设有N+注入区和P+注入区，P阱和N阱之间有一桥状P+注入区，所述桥状P+注入区的尺寸调节范围在2.5um～10.0um之间；所述单体LVTSCR器件还包括栅氧化层，所述栅氧化层位于N阱的P+注入区和桥状P+注入区之间，在栅氧化层上方有金属覆盖并构成栅极；N阱的N+注入区、N阱的P+注入区和所述栅极构成所述单体LVTSCR器件的正极，P阱的N+注入区和P阱的P+注入区构成所述单体LVTSCR器件的负极。 | ||
| 搜索关键词： | 注入区 栅氧化层 桥状 栅极接地 正极 尺寸调节 负极 金属 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于BCD工艺的新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件，包括至少一个单体LVTSCR器件，所述单体LVTSCR器件包括P阱、N阱，其特征在于，所述N阱和P阱上均设有N+注入区和P+注入区，P阱和N阱之间有一桥状P+注入区，所述桥状P+注入区的尺寸调节范围在2.5um～10.Oum之间；所述单体LVTSCR器件还包括栅氧化层，所述栅氧化层位于N阱的P+注入区和桥状P+注入区之间，在栅氧化层上方有金属覆盖并构成栅极；N阱的N+注入区、N阱的P+注入区和所述栅极构成所述单体LVTSCR器件的正极，P阱的N+注入区和P阱的P+注入区构成所述单体LVTSCR器件的负极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州捷茂微电子有限公司，未经杭州捷茂微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910024861.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
