[发明专利]一种QLED的新型封装方法

摘要

本发明公开了一种QLED的新型封装方法，涉及量子点技术领域。包括以下步骤：制作以陶瓷为材料的支架，印刷电路层，其中分割为四个部分，一部分用于镀银，形成镀银层，其余三部分分别为红绿蓝三基色的正极；在镀银层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，作为量子点的介质层；采用印刷形式，将激发能发出红光的量子点印刷在镀银层上，形成量子点层；在量子点层上旋涂氧化状态下高稳定性的聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩；在抗聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩层上溅射一层铟锡氧化物半导体透明导电膜。采用垂直结构，将三基色夹层封装，三基色独立供电控制发光，单颗QLED包含三种颜色，与原先技术比较，水平占有面积约为原先的1/3，达到混光均匀且色彩鲜艳。

主权项

1.一种QLED的新型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制作以陶瓷为材料的支架，印刷电路层，其中分割为四个部分，一部分用于镀银，形成镀银层，其余三部分分别为红绿蓝三基色的正极；S2、在镀银层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，作为量子点的介质层；S3、采用印刷形式，将激发能发出红光的量子点印刷在镀银层上，形成量子点层；S4、在量子点层上旋涂氧化状态下高稳定性的聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩；S5、在抗聚噻吩的衍生物聚乙烯二氧噻吩层上溅射一层铟锡氧化物半导体透明导电膜，厚度为55‑65纳米，作为红色量子点的正极；S6、采用耐高温耐氧化且高透光率的材料形成在红色量子点正极；S7、在真空环境下，采用磁控溅射工艺，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜；S8、采用相同红色量子点的制作工艺，制成绿色和蓝色的量子点；S9、最后在QLED器件上设置薄膜封装层进行封装。