[发明专利]间隙填充方法以及使用该方法制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910014839.3 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110718501B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朴寅洙;李起洪 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 间隙填充方法以及使用该方法制造半导体器件的方法。一种用于对高纵横比结构进行间隙填充的方法包括以下步骤：形成包括凹陷的间隙填充目标结构；在凹陷中形成具有第一开口的第一层；将第一层暴露于氧化工艺以形成用于封闭第一开口的入口的第一层的氧化物；通过选择性地去除第一层的氧化物来形成第二开口，该第二开口具有比第一开口的入口宽的入口；以及形成对第二开口进行间隙填充的第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 方法 以及 使用 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于对高纵横比结构进行间隙填充的方法，该方法包括以下步骤：/n形成包括凹陷的间隙填充目标结构；/n在所述凹陷中形成具有第一开口的第一层；/n将所述第一层暴露于氧化工艺以形成用于封闭所述第一开口的入口的所述第一层的氧化物；/n通过选择性地去除所述第一层的氧化物来形成第二开口，该第二开口具有比所述第一开口的入口宽的入口；以及/n形成对所述第二开口进行间隙填充的第二层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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