[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201910012396.4 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109768126B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：提供一图形化衬底；在所述图形化衬底上依次生长低温成核层、高温缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层；其中，所述高温缓冲层包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层均为GaN层，生长高温缓冲层包括：在生长温度为1100～1150℃的环境下，在低温成核层上生长第一子层；在生长温度为1040～1070℃的环境下，在第一子层上生长第二子层；第一子层的生长时间大于第二子层的生长时间。本发明通过改变高温缓冲层的生长条件，可以提高生长出的GaN外延层的晶体质量，从而提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一图形化衬底；在所述图形化衬底上依次生长低温成核层、高温缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层；其中，所述高温缓冲层包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层均为GaN层，生长所述高温缓冲层包括：在生长温度为1100～1150℃的环境下，在所述低温成核层上生长第一子层；在生长温度为1040～1070℃的环境下，在所述第一子层上生长第二子层；所述第一子层的生长时间大于所述第二子层的生长时间。
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