[发明专利]嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置在审
| 申请号： | 201910005114.8 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111403601A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赵忠强 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种嵌入式电容结构及其制备方法、存储装置，属于半导体技术领域。该嵌入式电容结构的制备方法包括：在一衬底的一侧形成中间层；在中间层远离衬底的一侧形成第一支承层；形成电容孔，电容孔贯穿中间层和第一支承层；形成覆盖电容孔的内表面的第一电极；在第一支承层远离衬底的一侧，以预设方向对第一电极远离衬底的一端的部分区域进行离子注入，预设方向相对电容孔的延伸方向倾斜；去除第一电极被注入离子的区域，使得第一电极具有开口，且开口暴露部分中间层；形成覆盖第一电极的介电层；形成覆盖介电层的第二电极。该制备方法能提高嵌入式电容结构的制备效率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 电容 结构 及其 制备 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910005114.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
