[发明专利]TEM样品制备方法有效
申请号: | 201910003403.4 | 申请日: | 2019-01-03 |
公开(公告)号: | CN111398325B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 李晓丽;王金成;王佳龙 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G01N23/2202 | 分类号: | G01N23/2202 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请涉及一种TEM样品制备方法,包括:确定半导体衬底上存在缺陷的目标位置并从半导体衬底的背面对半导体衬底进行减薄,制成平面TEM样品,目标位置位于平面TEM样品内;用粘合胶将平面TEM样品的背面粘贴于导电垫片上,粘合胶的厚度小于或等于50μm;及确定缺陷的平面形貌和位置并采用聚焦离子束在缺陷位置处垂直于平面TEM样品进行切割,制成剖面TEM样品,缺陷位于剖面TEM样品的剖面上。上述制备方法制成剖面TEM样品,可以获取半导体衬底厚度方向的缺陷信息,如缺陷的深度信息,从而推导出导致缺陷的工序,以对工序进行改进,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】:
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