[发明专利]管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法有效
| 申请号： | 201910001810.1 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109802007B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 曾俞衡;闫宝杰;叶继春;廖明墩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法，包括在硅的氧化物和/或硅的氮化物表面采用管式PECVD制备掺杂非晶硅薄膜，然后高温晶化退火得到多晶硅钝化接触结构；本发明不仅可以制备出高质量TOPCon结构，其钝化效率完全等同于LPCVD技术，具体体现在，采用n型TOPCon双面钝化的n型硅片的 |
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| 搜索关键词： | pecvd 制备 多晶 钝化 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法，其特征在于，包括在硅的氧化物和/或硅的氮化物表面采用管式PECVD制备掺杂非晶硅薄膜，然后高温晶化退火得到多晶硅钝化接触结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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