[发明专利]管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法有效
| 申请号： | 201910001810.1 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109802007B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 曾俞衡;闫宝杰;叶继春;廖明墩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pecvd 制备 多晶 钝化 接触 结构 方法 | ||
1.一种管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法，其特征在于，包括在硅的氧化物和/或硅的氮化物表面采用管式PECVD制备掺杂非晶硅薄膜，然后高温晶化退火得到多晶硅钝化接触结构；
包括以下具体步骤，采用管式PECVD设备按照以下步骤制备：
1）硅片清洗后放入石墨舟；
2）沉积氧化硅：衬底温度100-600oC，以笑气或二氧化碳或氧气为反应气体，流量1000sccm-5000sccm，气压为30-300Pa，沉积功率2000-8000W，射频通断比1︰5-1︰30，沉积时间为10-1000秒；
3）在背面氧化硅上沉积I层掺磷非晶硅薄膜：为了降低界面轰击，I层掺磷非晶硅薄膜沉积功率较小，速率较低，厚度也较小；具体参数为：衬底温度100-700oC，以硅烷、氢气、磷烷为反应气体，每种气体的流量为1000sccm-5000sccm，三者的流量比SiH4︰H2︰PH3=1︰0-100︰0.1-100，气压为60-300Pa，沉积功率2000-8000W，射频通断比1︰5-1︰30，沉积时间为60-600秒；
4）在I层掺磷非晶硅薄膜上沉积II层掺磷非晶硅薄膜：为了提高薄膜生长速率，II层掺磷非晶硅薄膜沉积功率增大；具体参数为：衬底温度100-700oC，以硅烷、氢气、磷烷为反应气体，三者的流量比SiH4︰H2︰PH3=1︰0-100︰0.1-100，气压为30-200Pa，沉积功率5000-15000W，射频通断比1︰5-1︰30，沉积时间为120-1200秒；
5）晶化退火：将硅片放入管式退火炉，退火温度为760-1100oC，退火时间为10-240分钟。
2.根据权利要求1所述的管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法，其特征在于，所述掺杂非晶硅薄膜的厚度为20-400nm。
3.根据权利要求2所述的管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法，其特征在于，所述掺杂非晶硅薄膜的厚度为100-150nm。
4.根据权利要求1所述的管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法，其特征在于，所述掺杂非晶硅薄膜为磷掺杂的非晶硅薄膜或硼掺杂的非晶硅薄膜。
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