[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201880097988.4 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112823409A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 西堂周平;佐佐木隆史;吉田秀成 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够缓和将多张晶片并排处理时的多个晶片的面间不均匀性(负载效应)的基板处理装置，基板处理装置构成为，包括：基板保持件，其按照规定的间隔排列保持多个基板；收容基板保持件的反应管，其具备使上端闭塞的顶板，并在下方具有能够使基板保持件出入的开口；炉体，其包围该反应管的上方及侧方；盖，其直接或间接保持基板保持件，并封堵开口；以及气体供给机构，其向在反应管内保持于基板保持件的多个基板各自的表侧的面提供与表侧的面平行的气体流动，基板保持件构成为，保持形成有集成电路图案的产品基板或监控基板和在表侧的面形成有Si熔射层的虚设基板，其中，所述虚设基板位于隔着该产品基板或监控基板的两侧的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
