[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

基板保持件，其按照规定的间隔排列保持多个基板；

收容所述基板保持件的反应管，其具有使上端闭塞的顶板，并在下方具有能够使所述基板保持件出入的开口；

盖，其直接或间接保持所述基板保持件，并封堵所述开口；以及

气体供给机构，其向在所述反应管内保持于所述基板保持件的所述多个基板各自的表侧的面提供与表侧的面平行的气体流动，

所述基板保持件在所述排列的端部保持1张以上的在表侧的面形成有Si熔射层的虚设基板，在除此以外的位置保持形成有集成电路图案的产品基板或监控基板。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述虚设基板的在所述表侧的面形成的Si熔射层具有与所述产品基板大致相等的表面积。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述产品基板所具有的导通孔的直径或沟槽的宽度落在所述Si熔射层的累计细孔容积分布中的与总容积的25％至75％相当的细孔直径的范围内。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板保持件与所述产品基板或所述监控基板相比具有一半以下的直径，将在表面形成有Si熔射层的多张虚设基板载置并保持在托盘中。

5.根据权利要求1或4所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

炉体，其包围所述反应管的上方及侧方；以及

控制器，其以在所述产品基板或所述监控基板上堆积规定的厚度的膜的方式对所述炉体的温度和所述气体供给机构进行控制

所述控制器还针对多张所述虚设基板的每一张，保持由所述基板保持件保持并且与所述产品基板或所述监控基板一并被处理的历史记录，来作为膜厚的累计值。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制器在所述累计值超过规定值时进行规定的记录动作、报告动作或将相应的虚设基板从所述基板保持件取下的动作。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

升降机，其上下驱动所述盖，将所述基板保持件相对于所述反应管搬出及搬入；以及

冷却器，其与所述反应管的所述开口相比设置在下方，朝向正在搬出的、或已搬出的所述基板保持件喷射冷却气体，

所述冷却器被控制为，在喷射的冷却气体接触到所述虚设基板时，以与未接触时不同的流量进行喷射。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备颗粒计数器，该颗粒计数器在与所述冷却器相对的位置测定所喷射的所述冷却气体的气体中颗粒，

所述控制器在所述颗粒计数器从横穿所述虚设晶片的所述冷却气体测定到的颗粒超过规定值时，进行规定的记录动作、报告动作或将相应的虚设晶片从所述基板保持件取下的动作。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

使用搬入机构将按照规定的间隔排列保持多个基板的基板保持件搬入筒状的反应管中的步骤；

使用压力调节部对搬入了保持有所述基板的所述基板保持件的所述筒状的反应管的内部的压力进行调节，并使用加热器加热至规定的温度的步骤；

对所述压力进行调节，从气体供给部向被加热至所述规定的温度的所述筒状的反应管的内部供给处理气体的步骤；

在所述处理气体的供给结束后使所述筒状的反应管的内部恢复为大气压的步骤；以及

使用所述搬入机构将保持有所述基板的所述基板保持件从所述内部恢复为大气压的所述筒状的反应管的内部搬出，并将所述基板冷却至室温的步骤，

所述供给的步骤在将形成有集成电路图案的产品基板或监控基板和在表面形成有Si熔射层的虚设基板排列保持于所述基板保持件的状态下进行，其中，所述虚设基板位于隔着所述产品基板或所述监控基板的两侧的位置。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述供给的步骤中，利用控制器以在所述产品基板或所述监控基板上堆积规定的厚度的膜的方式控制所述加热器的温度和所述气体供给部，

所述半导体器件的制造方法还具备下述步骤：使用所述控制器，针对多张所述虚设基板的每一张，保持由所述基板保持件保持并且与所述产品基板或所述监控基板一并被处理的历史记录来作为膜厚的累计值，在所述累计值超过规定值时进行规定的记录动作或规定的报告动作。