[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880096405.6 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112740420A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之;井上智博 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管(101)具有栅极(2)；半导体层(4)，在栅极上隔着栅极绝缘层(3)配置；源极(8s)，在半导体层(4)的一部分上隔着第一接触层(Cs)配置；漏极(8d)，在另一部分上隔着第二接触层(Cd)配置,第一和第二接触层具有包含第一非晶硅层和N个(N为1以上的整数)双层结构S(n)(n为1以上且N以下的整数)的层叠结构，所述第一非晶硅层与所述源电极或所述漏电极直接接触,所述N个双层结构S(n)分别由第二非晶硅层72(n)、与第二非晶硅层72(n)的上表面直接接触的第三非晶硅层73(n)构成,各双层结构S(n)的第二非晶硅层以及第三非晶硅层中的n型杂质浓度C2(n)、C3(n)和第一非晶硅层的n型杂质浓度Cl对于任意的n,满足C2(n)C3(n)C1的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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