[发明专利]半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201880096225.8 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112534662B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 佐久间仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;王培超 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体激光器装置的制造方法的特征在于，具备：在InP基板之上，以具有台面条纹构造的形状，形成层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造；在该层叠构造之上通过溅射法形成第一绝缘膜；通过成膜温度比形成该第一绝缘膜时高的等离子体CVD法，在该第一绝缘膜之上形成比该第一绝缘膜薄的第二绝缘膜；以及在该上部包覆层之上形成第一电极，在该InP基板的背面形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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