[发明专利]半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201880096225.8 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112534662B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 佐久间仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;王培超 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，具备：
在InP基板之上，以具有台面条纹构造的形状，形成层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造；
在所述台面条纹构造的侧面、和所述台面条纹构造的左右的比所述台面条纹构造低的低地部分通过溅射法形成第一绝缘膜；
通过成膜温度比形成所述第一绝缘膜时高的等离子体CVD法，在所述第一绝缘膜之上形成比所述第一绝缘膜薄的第二绝缘膜；以及
在所述台面条纹构造的上表面形成第一电极，在所述InP基板的背面形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜的成膜温度为140-160℃，所述第二绝缘膜的成膜温度为290-310℃。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜的膜厚为300-700nm，所述第二绝缘膜的膜厚为100nm以下。
4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，具备：
在形成所述第一绝缘膜后，形成所述第二绝缘膜之前，对所述第一绝缘膜的一部分进行蚀刻，而将所述第一绝缘膜残留在所述台面条纹构造的侧面下部、和所述低地部分的所述台面条纹构造的根部侧的部位。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，具备：
在形成所述第一绝缘膜后，形成所述第二绝缘膜之前，对所述第一绝缘膜的一部分进行蚀刻，而将所述第一绝缘膜残留在所述台面条纹构造的侧面下部、和所述低地部分的所述台面条纹构造的根部侧的部位。
6.一种半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，具备：
在InP基板之上，通过对层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造实施干式蚀刻而形成具有平坦的侧面且左右露出所述层叠构造的任一层的表面的台面条纹构造；
在所述台面条纹构造的所述侧面、和所述台面条纹构造的左右的比所述台面条纹构造低的低地部分通过ALD法形成第一绝缘膜；
通过溅射法在所述第一绝缘膜之上形成比所述第一绝缘膜厚的第二绝缘膜；以及
在所述台面条纹构造的上表面形成第一电极，在所述InP基板的背面形成第二电极。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的成膜温度为140-160℃。
8.根据权利要求6或7所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜的膜厚为100nm以下，所述第二绝缘膜的膜厚为300-700nm。
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