[发明专利]半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置

说明书

本发明的半导体激光器装置的制造方法的特征在于，具备：在InP基板之上，以具有台面条纹构造的形状，形成层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造；在该层叠构造之上通过溅射法形成第一绝缘膜；通过成膜温度比形成该第一绝缘膜时高的等离子体CVD法，在该第一绝缘膜之上形成比该第一绝缘膜薄的第二绝缘膜；以及在该上部包覆层之上形成第一电极，在该InP基板的背面形成第二电极。

技术领域

本发明涉及半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。

背景技术

半导体激光器装置成为用于对大容量数据进行通信的超高速且高效率的光网络的关键设备，其可靠性变得越来越重要。例如在通信用的脊型半导体激光器装置中，在活性层的附近配置有绝缘膜。这是为了利用脊和其两侧的折射率差，将光封闭在波导路中。在活性层产生的光渗出到绝缘膜，一部分泄漏到绝缘膜上的电极而被吸收，使效率降低。为了防止上述情况，可以加厚绝缘膜，但这样的话施加到活性层的应力增大，而产生特性的变化或结晶缺陷。另外，若以等离子体形成绝缘膜，则由于对活性层造成损伤，所以存在无法确保可靠性的问题。

在专利文献1中，为了解决上述问题而将绝缘膜设为双层构造，作为第一层，通过成膜温度600℃左右的热CVD法形成膜厚50nm的SiN膜，作为第二层，通过成膜温度300℃左右的等离子体CVD法形成膜厚100nm的SiN膜。在专利文献1中记载有如下内容：通过使第二层的SiN膜的成膜温度低于第一层的SiN膜的成膜温度，从而即使加厚第二层的SiN膜，施加到半导体层的应力也会变低，因此能够确保可靠性。并且，在专利文献1中还记载有如下内容：在第二层的SiN膜的通过等离子体CVD法的成膜时，由于具有第一层的SiN膜，所以等离子体不直接与半导体层接触，还能够防止由等离子体损伤引起的可靠性的降低。

专利文献1：日本特开2010-16281号公报

例如在InP类的通信用半导体激光器中，若通过如热CVD那样的600℃左右的高温成膜来形成绝缘膜，则存在半导体材料热分解的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够减少对活性层的应力以及损伤而提高可靠性的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。

本申请的发明所涉及的半导体激光器装置的制造方法的特征在于，具备：在InP基板之上以具有台面条纹构造的形状，形成层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造；在该层叠构造之上通过溅射法形成第一绝缘膜；通过成膜温度比形成该第一绝缘膜时高的等离子体CVD法，在该第一绝缘膜之上形成比该第一绝缘膜薄的第二绝缘膜；以及在该上部包覆层之上形成第一电极，在该InP基板的背面形成第二电极。

本申请的发明所涉及的其他半导体激光器装置的制造方法的特征在于，具备：在InP基板之上，以具有台面条纹构造的形状，形成层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成的层叠构造；在该层叠构造之上通过ALD法形成第一绝缘膜；通过溅射法在该第一绝缘膜之上形成比该第一绝缘膜厚的第二绝缘膜；在该上部包覆层之上形成第一电极，在该InP基板的背面形成第二电极。

本申请的发明所涉及的半导体激光器装置的特征在于，具备：InP基板：层叠构造，其在该InP基板之上，以具有台面条纹构造的形状层叠下部包覆层、活性层以及上部包覆层而成；第一绝缘膜，其避开该台面条纹构造的侧面上部，而形成于该台面条纹构造的根部；第二绝缘膜，其使该上部包覆层的上方露出，并且覆盖该第一绝缘膜和该层叠构造；第一电极，其与该上部包覆层电连接；以及第二电极，其形成于该InP基板的背面。

以下阐明本发明的其他特征。

根据本发明，例如，首先通过溅射法形成第一绝缘膜，其后，通过成膜温度比形成第一绝缘膜时高的等离子体CVD法在第一绝缘膜之上形成比第一绝缘膜薄的第二绝缘膜，由此能够减少对活性层的应力以及损伤而提高半导体激光器装置的可靠性。

附图说明