[发明专利]扇出封装方法及扇出封装板在审
| 申请号： | 201880095500.4 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN112385024A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 胡川;燕英强;郭跃进;皮迎军;刘俊军;普拉克·爱德华 | 申请（专利权）人： | 深圳市修颐投资发展合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在基板(100)的一侧或两侧制作电路图案(110A，110B)，将电子零件(200A，200B)安装于所述基板(100)的一侧或两侧，在基板(100)的两侧制作封装层(300)，所述基板(100)两侧的所述封装层(300)将所述基板(100)、所述电路图案(110A，110B)、和所述电子零件(200A，200B)包封在内，所述封装层(300)为热塑性材料制成；其中，所述基板(100)设有过孔(120)，所述过孔(120)将所述基板(100)的两侧连通，在基板(100)的两侧制作封装层(300)时，所述封装层(300)的部分穿过所述过孔(120)，所述基板(100)两侧的所述封装层(300)通过所述过孔(120)相连接。减小封装材料的耗散系数，信号损耗小，能够很好地应用于高频射频器件的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
