[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 201880091453.6 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111886675A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 折坂昌幸;佐藤雅伸;基村雅洋;光吉一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基板处理装置在支承于升降部的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板(31)。21个狭缝(33)的与中央区域(ARC)的宽度(WD1)相比，第一外区域(AR1)以及第二外区域(AR2)中的宽度(WD2、WD3)被设为更大。因此，在从一对喷出管(7)供给的、在中央区域(ARC)沿基板(W)面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板(31)通过而向基板(W)侧上升时，其动量被削弱。因此，能够缓和基板(W)面附近的处理液的流动的差异，能够在基板(W)面内形成速度差很小的整流。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
