[发明专利]具有互补单元结构的差分放大器在审
| 申请号： | 201880083615.1 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111527694A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | R·卡马克;范斌 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的某些方面通常涉及一种使用互补金属氧化物半导体(CMOS)结构实现的差分放大器。该差分放大器通常包括第一对晶体管和耦合到第一对晶体管的第二对晶体管。第一对晶体管的栅极和第二对晶体管的栅极可以被耦合到差分放大器的相应差分输入节点，并且第一对晶体管的漏极和第二对晶体管的漏极可以被耦合到差分放大器的相应差分输出节点。在某些方面中，差分放大器可以包括偏置晶体管，该偏置晶体管具有被耦合到第一对晶体管中的一个晶体管的源极的漏极，并且该偏置晶体管具有耦合到差分放大器的共模反馈(CMFB)路径的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互补 单元 结构 差分放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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