[发明专利]具有互补单元结构的差分放大器

说明书

本公开的某些方面通常涉及一种使用互补金属氧化物半导体(CMOS)结构实现的差分放大器。该差分放大器通常包括第一对晶体管和耦合到第一对晶体管的第二对晶体管。第一对晶体管的栅极和第二对晶体管的栅极可以被耦合到差分放大器的相应差分输入节点，并且第一对晶体管的漏极和第二对晶体管的漏极可以被耦合到差分放大器的相应差分输出节点。在某些方面中，差分放大器可以包括偏置晶体管，该偏置晶体管具有被耦合到第一对晶体管中的一个晶体管的源极的漏极，并且该偏置晶体管具有耦合到差分放大器的共模反馈(CMFB)路径的栅极。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年12月27日提交的标题为“具有互补单元结构的差分放大器”的、申请号为15/855,106的非临时申请的优先权，该临时申请转让给本申请的受让人，并且在此明确地通过引用在此并入本文。

技术领域

本公开的某些方面通常涉及电子电路，更具体地涉及一种差分放大器。

背景技术

无线通信网络可以包括多个基站，其可以支持用于若干个移动站的通信。移动站(MS)可以经由下行链路和上行链路与基站(BS)通信。下行链路(或前向链路)是指从基站到移动站的通信链路，并且上行链路(或后向链路)是指从移动站到基站的通信链路。基站可以在下行链路上将数据和控制信息传输给移动站，和/或可以在上行链路上从移动站接收数据和控制信息。基站和/或移动站可以包括一个或多个差分放大器，以放大接收到的用于处理的信号。

发明内容

本公开的某些方面通常涉及使用互补金属氧化物半导体(CMOS)结构实现的差分放大器。

本公开的某些方面提供了一种差分放大器。该差分放大器通常包括第一对晶体管；第二对晶体管，其耦合到第一对晶体管，其中第一对晶体管的栅极和第二对晶体管的栅极被耦合到差分放大器的相应差分输入节点，其中第一对晶体管的漏极和第二对晶体管的漏极被耦合到差分放大器的相应差分输出节点；以及偏置晶体管，其具有耦合到第一对晶体管的一个晶体管的源极的漏极，而并且该偏置晶体管具有耦合到差分放大器的共模反馈(CMFB)路径的栅极。

本公开的某些方面提供了一种用于信号放大的方法。该方法通常包括：将具有CMOS结构的放大器的共模(CM)电压与参考电压进行比较，该CMOS结构具有第一对晶体管和第二对晶体管；放大在第一对晶体管的栅极处的第一输入电压与在第二对晶体管的栅极处的第二输入电压之间的差分输入电压；以及基于比较来将偏置电流提供给第一对晶体管的一个晶体管的源极和第二对晶体管中的一个晶体管的源极。

本公开的某些方面提供了一种用于信号放大的装置。该装置通常包括用于放大在CMOS结构的第一对晶体管的栅极处的第一输入电压与在该CMOS结构的第二对晶体管的栅极处的第二输入电压之间的差分输入电压的器件；用于将用于放大的器件的CM电压与参考电压进行比较的器件；以及用于基于比较来将偏置电流提供给第一对晶体管的一个晶体管的源极和第二对晶体管的一个晶体管的源极的器件。

附图说明

为了可以详细地理解本公开的上述特征的方式，可以通过参考各个方面来获取比上文所简要概述的描述更具体的描述，各个方面的一些方面在附图中被图示。然而，要指出的是，附图仅图示了本公开的某些典型方面，并且因此不应被认为是对本公开的范围的限制，这是因为该描述可以承认其他同等有效的方面。

图1是根据本公开的某些方面的示例无线通信网络的图。

图2是根据本公开的某些方面的示例接入点(AP)和示例用户端子端子的框图。

图3是根据本公开的某些方面的示例收发器前端的框图。

图4图示了根据本公开的某些方面的具有耦合到共模反馈

(CMFB)路径的头开关的示例放大器。