[发明专利]具有互补单元结构的差分放大器

权利要求书

1.一种差分放大器，包括：

第一对晶体管；

第二对晶体管，耦合到所述第一对晶体管，其中所述第一对晶体管的栅极和所述第二对晶体管的栅极被耦合到所述差分放大器的相应差分输入节点，其中所述第一对晶体管的漏极和所述第二对晶体管的漏极被耦合到所述差分放大器的相应差分输出节点；以及

偏置晶体管，具有耦合到所述第一对晶体管中的一个晶体管的源极的漏极，并且所述偏置晶体管具有耦合到所述差分放大器的共模反馈路径的栅极。

2.根据权利要求1所述的差分放大器，还包括：

第一跨导放大器，具有通过第一交流耦合电容器耦合到所述差分输入节点的正输入节点的输入，并且所述第一跨导放大器具有耦合到所述差分输出节点的负输出节点的输出。

3.根据权利要求2所述的差分放大器，还包括：

第二跨导放大器，具有通过第二交流耦合电容器耦合到所述差分输入节点的负输入节点的输入，并且所述第二跨导放大器具有耦合到所述差分输出节点的正输出节点的输出。

4.根据权利要求1所述的差分放大器，其中所述偏置晶体管的所述漏极被耦合到所述第二对晶体管中的一个晶体管的源极。

5.根据权利要求1所述的差分放大器，其中所述共模反馈路径包括：

反馈放大器，具有耦合到所述差分放大器的共模节点的第一输入，具有耦合到参考电压节点的第二输入，并且具有耦合到所述偏置晶体管的所述栅极的输出。

6.根据权利要求5所述的差分放大器，其中所述参考电压节点被耦合到复制晶体管，所述复制晶体管是所述第一对晶体管中的一个晶体管或所述第二对晶体管中的一个晶体管中的至少一个晶体管的复制。

7.根据权利要求6所述的差分放大器，其中所述复制晶体管的栅极和漏极被耦合在一起。

8.根据权利要求5所述的差分放大器，其中所述参考电压节点被耦合被到变压器的次级绕组的中心抽头，其中所述次级绕组的第一端子和第二端子中的每个端子都被耦合到所述差分输入节点的相应输入节点，并且其中所述变压器的初级绕组被耦合到射频输入节点。

9.根据权利要求5所述的差分放大器，还包括：

第一二极管器件，耦合在所述参考电压节点和参考电压节点之间，所述参考电压节点被耦合到所述第一对晶体管中的另一晶体管的源极和所述第二对晶体管中的另一晶体管的源极；

电流源；以及

第二二极管器件，耦合在所述电流源与所述参考电压节点之间。

10.根据权利要求9所述的差分放大器，其中

所述第一二极管器件包括n沟道金属氧化物半导体晶体管，所述n沟道金属氧化物半导体晶体管具有耦合到所述n沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极的栅极；以及

所述第二二极管器件包括p沟道金属氧化物半导体晶体管，所述p沟道金属氧化物半导体晶体管具有耦合到所述p沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极的栅极。

11.根据权利要求5所述的差分放大器，还包括耦合在所述差分输出节点之间的第一电阻器件和第二电阻器件，其中所述共模节点包括在所述第一电阻器件和所述第二电阻器件之间的节点。

12.根据权利要求1所述的差分放大器，其中所述共模反馈路径包括反馈放大器，具有耦合到所述差分放大器的共模节点的第一输入，并且所述反馈放大器具有耦合到所述偏置晶体管的栅极的输出，所述差分放大器还包括：

第一开关，具有耦合到所述反馈放大器的第二输入的第一端子，并且所述第一开关具有通过第一可变电阻器件耦合到参考电压节点的第二端子；以及

第一电流源，耦合到所述第一可变电阻器件。