[发明专利]用于验证半导体晶锭热史的方法有效
| 申请号： | 201880080782.0 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111479957B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 乔迪·韦尔曼;威尔弗里德·法夫尔;埃莱诺雷·勒蒂 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;G01N27/04 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 桑丽茹 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于验证通过结晶工艺的模拟获得的半导体晶锭的热史的实验方法。该方法包括以下步骤：a)测量半导体晶锭的部分中的间隙氧浓度；b)根据间隙氧浓度的测量值和半导体晶锭的部分中的热史，计算在结晶工艺期间形成的热施主浓度的理论值；c)测量半导体晶锭的部分中的热施主浓度的实验值；以及d)比较热施主浓度的理论值和实验值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 验证 半导体 晶锭热史 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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