[发明专利]电荷调制元件和固态摄像装置有效
申请号: | 201880078989.4 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN111448664B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 川人祥二 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人静冈大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S17/894;G01S7/481;G01S7/4914;H01L31/10;H01L31/103;H04N25/705;H04N25/771 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 沈丹阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具备:p型的光电转换层(11);n型的表面埋设区域(13),埋设于光电转换层(11)的上部;n型的调制区域(14),埋设于光电转换层(11)的上表面侧,与光电转换层(11)一起构成光电二极管;p型的电位控制区域(15a、15c),将调制区域(14)分割为多个区域,该电位控制区域分别配置于分割出的各区域;以及n型的电荷累积区域(17a、17c),分别临时累积由光电二极管生成并沿着相互独立的传输路径传送来的信号电荷。通过施加于电位控制区域(15a、15c)的作为脉冲电压的路径选择信号,调制区域(14)和表面埋设区域(13)的电位受到控制而选择传输路径。 | ||
搜索关键词: | 电荷 调制 元件 固态 摄像 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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