[发明专利]形成III族氮化物合金有效
| 申请号： | 201880078302.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111512414B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李晓航;刘开锴 | 申请（专利权）人： | 阿卜杜拉国王科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 王春伟;刘继富 |
| 地址： | 沙特阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于形成半导体器件的方法包括选择衬底、和纤锌矿III族氮化物合金层的压电极化和有效压电系数，在所述衬底上将形成纤锌矿III族氮化物合金层。确定是否存在满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分。还基于所选衬底和所选有效压电系数，确定是否存在满足所选压电极化的由纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度。对于确定存在晶格常数满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分，并且该纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度满足所选压电极化的情况，在衬底上形成纤锌矿III族氮化物合金层，所述纤锌矿III族氮化物合金层具有满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分并且具有满足所选压电极化的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 iii 氮化物 合金 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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