[发明专利]用于聚焦场雪崩光电二极管的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201880076321.6 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN111386611B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 吉安洛伦佐·马西尼;卡姆-扬·霍恩;苏巴尔·萨尼;阿蒂拉·梅基什 申请(专利权)人: 卢克斯特拉有限公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/107
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 朱亦林
地址: 美国特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用于聚焦场雪崩光电二极管(APD)的系统和方法可以包括吸收层、阳极、阴极、N掺杂层、P掺杂层、以及位于N掺杂层和P掺杂层之间的倍增区域。氧化物界面位于阳极、阴极、N掺杂层、P掺杂层、以及倍增区域的顶表面和底表面处。APD可以在吸收层中吸收光学信号以生成载流子,并使用N掺杂层和P掺杂层中的掺杂分布将载流子引导至阴极的中心,该掺杂分布在垂直于顶表面和底表面的方向上变化。N掺杂层和P掺杂层中的掺杂分布可以在氧化物界面之间的中途具有峰值浓度,或者N掺杂层可以在氧化物界面之间的中途具有峰值浓度,而P掺杂层在该处可以具有最小浓度。
搜索关键词: 用于 聚焦 雪崩 光电二极管 方法 系统
【主权项】:
暂无信息
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