[发明专利]具有增加的电流驱动能力的H形VFET在审
| 申请号： | 201880073344.1 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111418069A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张辰;程慷果;山下典洪;苗欣;许文豫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于增加Weff VFET器件的技术。在一个方面，一种形成鳍结构的方法包括：将硬掩模沉积到衬底上；将心轴材料沉积到所述硬掩模上；沿第一方向图案化所述心轴材料以形成第一心轴；在所述第一心轴旁边形成第一间隔物；在第一心轴之间形成第二心轴；沿垂直于所述第一方向的第二方向图案化所述第一心轴/所述第二心轴；在所述第一/第二心轴旁边形成垂直于所述第一间隔物的第二间隔物；选择性地移除所述第一/第二心轴，从而留下由所述第一/第二间隔物形成的阶梯形图案；将所述阶梯形图案转移到所述硬掩模，然后转移到所述衬底。还提供了一种形成VFET器件、VFET鳍结构和VFET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增加 电流 驱动 能力 vfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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