[发明专利]准二维层状钙钛矿材料、相关器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201880073245.3 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111418080A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | L·N·全;F·P·加西亚德阿克尔;R·P·萨巴蒂尼;S·胡格兰德;E·萨金特 | 申请（专利权）人： | 多伦多大学管理委员会 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王丹丹;郭丽祥 |
| 地址： | 加拿大，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了光电子器件，如光伏器件和发光二极管。所述器件包含准二维层状钙钛矿材料和与所述准二维层状钙钛矿材料化学键合的钝化剂。所述钝化剂包含氧化膦化合物。还提供了活性材料。所述活性材料包含具有最外边缘的准二维钙钛矿化合物和与所述最外边缘化学键合的钝化剂。所述钝化剂包含氧化膦化合物。还提供了制造所述光电子器件和所述活性材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 层状 钙钛矿 材料 相关 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-54 .. 材料选择
