[发明专利]用于降低应力的金属硅氮化物在审
| 申请号： | 201880071768.4 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111373324A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 彼得-詹·范兹沃勒;A·J·M·吉斯贝斯;J·H·克洛特韦克;E·库尔干诺娃;马克西姆·A·纳萨勒维奇;A·W·诺滕博姆;M·彼得;L·A·斯基梅诺克;T·W·范德伍德;D·F·弗莱斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于光刻设备的表膜及其制造方法，其中，该表膜包括氮化金属硅化物或氮化硅。还公开了氮化金属硅化物或氮化硅表膜在光刻设备中的用途。还公开了用于光刻设备的表膜，该表膜包括至少一个补偿层，该补偿层被选择并配置为抵消在暴露于EUV辐射时该表膜的透射率的变化；以及控制该表膜的透射率的方法和设计表膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 应力 金属硅 氮化物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
