[发明专利]改进的基于亚阈值的半导体温度传感器有效
| 申请号： | 201880067300.8 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN111226098B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | K·J-N·王 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了亚阈值MOSFET温度传感器，其中通过其源极连接至其栅极的亚阈值晶体管的亚阈值漏电流被镜像通过二极管连接的晶体管，以产生输出电压。反馈将亚阈值晶体管的漏极电压保持为等于输出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 基于 阈值 半导体 温度传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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