[发明专利]对来自图案化的磁穿隧结的侧壁材料的高温挥发在审
| 申请号： | 201880064467.9 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111373559A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 沙希·帕特尔;王郁仁;沈冬娜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开用于形成及封装磁穿隧结(MTJ)纳米支柱的工艺流程，首先通过反应式离子蚀刻或离子束蚀刻图案化包括参考层(RL)、自由层(FL)、以及穿隧阻挡层(TB)的MTJ薄层，以形成MTJ侧壁。基板上的多个MTJ在工艺腔体中的位置上进行加热(退火)，以大致上将RL、FL、以及TB结晶为体心立方(bcc)结构，且在沉积封装层前不会自装置的边缘再结晶，进而确保RL与TB之间、以及FL与TB之间的晶格匹配。在不破坏真空的情况下，于与退火操作相同的位置沉积封装层，并优选地使用物理气相沉积以防止反应性物质伤害MTJ侧壁。磁阻比得到了改善，特别是对于临界尺寸低于70nm的MTJ。 | ||
| 搜索关键词： | 来自 图案 磁穿隧结 侧壁 材料 高温 挥发 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880064467.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：作为组蛋白甲基转移酶抑制剂的三环化合物
- 下一篇：用于制造卷边的方法
