[发明专利]深紫外发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880064035.8 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111164768B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 渡边康弘 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种兼具高的发光输出和优异的可靠性的深紫外发光元件及其制造方法。根据本发明的深紫外发光元件在基板(10)上依次具有n型半导体层(30)、发光层(40)、p型电子阻挡层(60)和p型接触层(70)，p型接触层(70)具有超晶格结构，该超晶格结构是通过交替层叠第1层(71)和第2层(72)而得到的，第1层(71)由具有比发光层(40)中发出深紫外光的层的Al组成比w |
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| 搜索关键词： | 深紫 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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