[发明专利]具有用于高电压的改进的肖特基接触的肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201880061672.X | 申请日： | 2018-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111164764A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 马丁·科奈普 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种肖特基势垒二极管包括：具有主表面(10)的半导体主体；延伸到所述主表面的所述半导体主体的掺杂区(1)和另外的掺杂区(2)，所述掺杂区和另外的掺杂区具有相反类型的导电性；所述另外的掺杂区的子区域(DP阱)和另外的子区域(SP阱)，所述子区域彼此相邻，所述另外的子区域包括比所述子区域(DP阱)高的掺杂浓度；在所述主表面上的硅化物层(6)，所述硅化物层与所述掺杂区形成界面；在所述掺杂区上的电接触部(7)以及将所述另外的掺杂区与所述硅化物层电连接的另外的电接触部(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 电压 改进 肖特基 接触 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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