[发明专利]3D半导体器件、配置和方法在审
| 申请号： | 201880061011.7 | 申请日： | 2018-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112771670A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 兹维·奥·巴赫;金宇·韩;布莱恩·克洛奎斯特;伊莱·卢斯基 | 申请（专利权）人： | 宏大3D有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 李振文 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种第一3D器件和一种第二3D器件，这两种器件都包括：至少第一级，第一级包括逻辑电路；至少第二级，第二级包括存储器单元阵列；至少第三级，第三级包括专用电路；以及至少第四级，第四级包括专用连接配置，其中，专用连接配置包括以下中的一种：A.光波导，或B.差分信号，或C.射频传输线，或D.表面波互连(SWI)线，其中，第二级覆盖第一级，第三级覆盖第二级，并且第四级覆盖第三级，其中，第一级包括由单晶硅构成的基板，其中，第一器件的表面积远大于第二器件，并且其中，第二器件的第四级与第一器件的第四级的一部分非常相似。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 配置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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