[发明专利]具有氮化硼合金电子阻挡层的光电器件及制造方法有效
| 申请号： | 201880060084.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN111201616B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李晓航;郭文喆;孙海定 | 申请（专利权）人： | 阿卜杜拉国王科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 邰凤珠;刘继富 |
| 地址： | 沙特阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电器件，其包括：衬底、布置在衬底上的第一掺杂接触层、布置在第一掺杂接触层上的多重量子阱层、布置在多重量子阱层上的氮化硼合金电子阻挡层以及布置在氮化硼合金电子阻挡层上的第二掺杂接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 合金 电子 阻挡 光电 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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