[发明专利]基座和具备该基座的MOCVD装置有效
| 申请号: | 201880058624.5 | 申请日: | 2018-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN111133128B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 赵广一;金南绪;崔成哲 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/18;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种通过涂层来减少支承面上的温度偏差的基座和具备该基座的MOCVD装置。根据本发明一实施例的基座,可以是,具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面,所述基座构成为被感应线圈感应加热从而对所述基板进行支承的同时加热。可以是,所述基座包括:母材,由能够响应于所述感应线圈而感应加热的材质制成;以及涂层,涂布在所述母材的一部分或者全部表面而形成所述支承面的一部分或者全部,并具有与所述母材的磁性不同的磁性。根据本发明的基座和具备该基座的MOCVD装置,通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性,能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜,通过使用基于MOCVD工艺生长的基板,能够在元件制作时获得高产率。另外,根据本发明的MOCVD装置,能够测定正确的支承面上的温度。 | ||
| 搜索关键词: | 基座 具备 mocvd 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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