[发明专利]基座和具备该基座的MOCVD装置

权利要求书

1.一种基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面，所述基座构成为被感应线圈感应加热从而对所述基板进行支承的同时加热，

所述基座包括：

母材，由能够响应于所述感应线圈而感应加热的材质制成；以及

涂层，涂布在所述母材的一部分或者全部表面而形成所述支承面的一部分或者全部，并具有与所述母材的磁性不同的磁性，

所述母材具有反磁性和顺磁性中任意一个磁性，

所述涂层具有另一个磁性，

所述涂层包含碳化钽，所述碳化钽为TaC_x，当所述母材为反磁性时x大于0.9，当所述母材为顺磁性时x为0.9以下。

2.根据权利要求1所述的基座，其中，

所述感应线圈布置成围绕所述侧面。

3.根据权利要求1所述的基座，其中，

所述母材由石墨制成。

4.根据权利要求2所述的基座，其中，

所述涂层为第一涂层，

所述基座还包括由碳化硅制成的第二涂层，

所述第一涂层形成为覆盖所述母材的一部分，

所述第二涂层形成为至少覆盖未涂布有所述第一涂层的所述母材的表面。

5.根据权利要求4所述的基座，其中，

所述第一涂层位于所述支承面的边缘部分，

所述第二涂层位于所述支承面的中心部分。

6.一种基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面，所述基座构成为被以围绕所述侧面的方式布置的感应线圈感应加热从而对所述基板进行支承的同时加热，

所述基座包括：

母材，由能够响应于所述感应线圈而感应加热的材质制成；以及

涂层，涂布形成在所述母材的至少一部分上，并包含碳化钽，

所述支承面的一部分或者全部由所述涂层形成，

所述碳化钽为TaC_x，当所述母材为反磁性时x大于0.9，当所述母材为顺磁性时x为0.9以下。

7.根据权利要求1或6所述的基座，其中，

所述支承面的宽度为100mm以上。

8.根据权利要求1或6所述的基座，其中，

所述支承面的宽度相对于所述基座的高度的比率为5以下。

9.一种MOCVD装置，包括：

反应腔室；

基座，具有以使基板暴露于所述反应腔室的方式与所述基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面；以及

感应线圈，布置成围绕所述侧面以感应加热所述基座，

所述基座为权利要求1和6中任一项所述的基座。

10.根据权利要求9所述的MOCVD装置，其中，

所述MOCVD装置还包括：

温度测定模组，测定具备所述基座的支承面的上面的温度；以及

辐射率测定模组，测定所述基座的底面的辐射率，

所述MOCVD装置构成为基于通过所述温度测定模组以及所述辐射率测定模组获得的数据来算出所述支承面上的温度。

11.根据权利要求10所述的MOCVD装置，其中，

所述温度测定模组通过透镜接收光，所述辐射率测定模组通过导光管接收光。