[发明专利]发光二极管(LED)传质设备及其制造方法在审
| 申请号： | 201880055587.2 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN111052386A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 弗兰乔斯·J·亨利 | 申请（专利权）人： | 特索罗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及用于制造包含发光二极管(LED)结构的产品的传质方法。通过多个LED器件的光束辅助释放(BAR)以高速灵活的方式将LED阵列从源衬底转移到目标衬底。BAR传质方法还能够利用源衬底的已知良好管芯(KGD)数据文件来仅转移功能良好的管芯，并避免返工和产量损失。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 led 传质 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
