[发明专利]在不同磁阻随机存取存储器阵列中具有不同磁性隧道结的半导体管芯在审
| 申请号： | 201880055126.5 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111033749A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李夏;陈伟川;许华南;康相赫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 磁性隧道结(MTJ)的能量势垒影响其写入性能，因为切换MTJ的自由层的磁定向所需要的电流的量是其能量势垒的函数。因此，通过改变半导体管芯(200)中的不同磁阻随机存取存储器(MRAM)阵列(208)中的MTJ叠层(204)的能量势垒，可以将不同的MRAM阵列用于在半导体管芯中设置的不同类型的存储器，同时仍然能够实现不同的性能指标。可以通过改变MTJ叠层的材料、高度、宽度和/或其他特性来改变能量势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 不同 磁阻 随机存取存储器 阵列 具有 磁性 隧道 半导体 管芯 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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