[发明专利]激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201880054960.2 | 申请日： | 2018-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN111066123B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 铃木祐辉;藤贵洋;三上贵弘;山口芳広;清水良 | 申请（专利权）人： | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/677;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 日本国神奈川县横*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一种实施方式的激光照射装置(1)包括用于产生激光的激光生成装置(14)以及用于浮起待施加所述激光的处理对象(16)的浮起单元(10)。所述浮起单元(10)包括第一区域和第二区域，所述第一和第二区域设置为使得在平面视角下，所述激光的焦点与所述第一区域重叠，且所述激光的焦点与所述第二区域不重叠。所述第二区域的表面部分由金属构件形成。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 装置 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
