[发明专利]涂层工艺中的以及与涂层工艺有关的改善在审
| 申请号： | 201880053904.7 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110998784A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 维克多·贝利多-冈萨雷斯;伊凡·费尔南德斯;安比恩·温伯格;德莫特·派特克·莫纳汉 | 申请（专利权）人： | 基恩科有限公司;纳米4能源有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/34;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 王晖;陈剑 |
| 地址： | 英国默*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种在等离子体涂覆设备中消耗等离子体中的电子的设备(1b)和方法。本发明涉及：产生与靶(4)相邻的等离子体，所述等离子体包括离子(9)、颗粒材料(5)和电子(6)；形成等离子体陷阱(52)，以将等离子体约束在靶(4)附近，并通过以下方式消耗等离子体中的电子：提供另外的磁场(8b)，该另外的磁场叠加在等离子体陷阱(3、52)的磁场上，该另外的磁场延伸超出等离子体陷阱的边界层(52)，并牵引来自等离子体陷阱的边界层(52)的或者等离子体陷阱的边界层附近的电子(6)远离靶(4)。本发明提出将基准电压(50)施加到靶(4)上；以及向靶(4)施加周期性的电压脉冲(13b)。另外的磁场(8b)消耗等离子体中的电子，使得当向靶(4)施加电压脉冲(13b)时，可以从等离子体中喷射出离子(9)，其中减少了电子屏蔽。已经表明这改善了离子轰击并减少不利的电子轰击影响。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 工艺 中的 以及 有关 改善 | ||
【主权项】：
暂无信息
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